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第504章 纳米和28纳米的区别（第2页）

当他踏入芯片部门，开始深入了解当前项目的进展情况时，一个关键的问题逐渐浮出水面。

他终于知道了为什么14纳米迟迟无法研发成功。

原来在28纳米及其以上制程的芯片技术中，广泛采用的是传统的互补金属氧化物半导体工艺，即人们常说的CMOS技术。

CMOS作为计算机系统内部的核心组件之一，承担着存储系统最基本数据与指令的重任，是电子设备不可或缺的基石。

然而这项成熟的技术并非没有局限。

随着科技的不断进步，当制程工艺试图向更精细的14纳米乃至更小尺度推进时，CMOS技术遇到了难以逾越的瓶颈。

具体而言28纳米成为了CMOS工艺能够有效支撑性能提升的极限点。

一旦跨越这个界限，进入更高级的制程领域，就必须对晶体管的结构进行根本性的革新。

因为传统的CMOS设计已经无法满足更高精度、更快速度以及更低能耗的工艺需求。

孟玉竹及其团队成员也是卡在了芯片研发的这个环节上，因此进展受阻。

此刻他们全体成员正神情紧张地站在会议桌前，目光不约而同地聚焦在正在审阅资料的董事长江辰身上，空气中弥漫着一种微妙的氛围。

江辰缓缓放下手中的文件，转头将视线投向团队，注意到每个人脸上都挂着略显尴尬而又略带歉意的微笑。

他看着这一幕无奈的苦笑。

。

“如果我不亲自来一趟，你们是打算自己咬牙坚持，硬着头皮继续摸索下去吗？”

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江辰的话语中带着几分调侃。

孟玉竹被推选为代表，硬着头皮站了出来，声音中带着一丝不自然的笑意

“董事长，您这是说到哪儿去了。

我们其实已经给自己设定了一个明确的时间线，如果在接下来的半年里还是无法攻克，那我们就…”

江辰见状，既觉得好笑又有些许无奈，轻轻摇了摇头，打断了孟玉竹的话。

“好了，不必再说了。”

他心中已经有了计较，本来是准备来搞定芯片堆叠技术的，索性帮他们把14纳米结构设计也敲定把。

不然这帮家伙还不知道要撞多少次南墙了。

接下来的几天时间内，江辰先是把项目成立以来所有的技术资料全都捋了一遍。

成员们在很多技术上都有很大的突破。

这样一来的话，一旦奠定好新工艺的结构设计，那么估摸着14纳米芯片技术的突破近在咫尺了。

很快江辰就拿出了一款结构设计，也是后世中14纳米，7纳米乃至5纳米的通用方案。

鳍式场效应管晶体管结构，俗称FinFET。

它采用了3D结构增加了接触面积，从而提高了半导体性能并减少了电流泄露。

到这里为止硅基芯片的制程算是快走到极限了。

此外28纳米，14纳米就是目前全球最主要的成熟制程，而大家所熟知的7纳米及以上由于脆弱性其实并不常用。

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